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性能指标 ：
1、LED、UED、USD及RBED探测器；
2、二次电子分辨率：0.6 nm（15 kV）；0.7 nm（1 kV）；背散射电子分辨率：1.5 nm（15 kV）；
3、加速电压：0.01-30 kv；
4、放大倍数25-1,000,000倍，误差：3%；
5、牛津Ultim Extreme能谱，元素分析下限：Li；空间分辨率 10 nm；
6、电子束束流：10 pA≤;束流≤200 nA，束流强度可连续调节；
功能及应用：
1、二次电子形貌像观测；
2、平整样品表面的背散射电子成像分析；
3、配置低真空单元，可对导电性差的块体样品进行低真空下的二次电子及背散射电子观测，真空度范围10 - 300 Pa；
4、材料的微区成分分析，能谱可进行定性定量分析、全谱智能面扫描、全谱智能线扫描；
5、磁性样品观察。
样品要求 ：
1、所送样品必须经过真空干燥、保持新鲜的非磁性固体样品。粉末、块体、薄膜、硅片分散样品均可测试，样品尺寸最大不可超过50 mm x 60 mm x 25 mm（高）。可用强磁体检验样品是否具有磁性。能被强磁铁吸引的磁性样品无论磁性强弱均无法测试；
2、送样时，请简单说明测试的样品的名称、成分、状态以及测试需求等；特殊样品、特殊需求请务必注明；
3、树脂包埋样品由于内部孔洞会延长样品抽真空的时间，有条件的同学可以在实验室进行预先的抽真空处理。
